发明名称 |
提高以导电氧化物为底电极的铁电薄膜抗疲劳特性的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种更进一步提高以导电氧化物为底电极的铁电薄膜抗疲劳特性的方法,其方法为:在衬底利用溅射沉积薄膜工艺形成金属氧化物薄膜/衬底基片,再形成铁电薄膜/金属氧化物薄膜/衬底基片,然后,在铁电薄膜上再沉积一层CFO,最后,在CFO上再沉积顶上电极。本发明在采用导电氧化物的基础上,再加镀一层CFO薄膜,使铁电电容的疲劳特性得到更进一步明显的提高。所需CFO镀层成本低,操作简单,性能稳定。本发明将大大改善铁电存储器的疲劳特性,扫除产品化的最大障碍,其具有成本低廉,可靠性高,寿命长等优点。 |
申请公布号 |
CN103680940A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201310429686.1 |
申请日期 |
2013.09.18 |
申请人 |
东华大学 |
发明人 |
张晓东;褚君浩;邢怀中 |
分类号 |
H01G4/00(2006.01)I;H01G4/33(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01G4/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海申汇专利代理有限公司 31001 |
代理人 |
翁若莹;柏子雵 |
主权项 |
一种更进一步提高以导电氧化物为底电极的铁电薄膜抗疲劳特性的方法,其特征在于,步骤为:步骤1、制备溅射靶:分别制备导电金属氧化物陶瓷靶、铁电薄膜材料陶瓷靶及CFO陶瓷靶;步骤2、采用溅射沉积薄膜工艺利用导电金属氧化物陶瓷靶在衬底上溅射沉积导电金属氧化物薄膜形成金属氧化物薄膜/衬底,将导电金属氧化物陶瓷靶换为铁电薄膜材料陶瓷靶后,采用溅射沉积薄膜工艺在金属氧化物薄膜/衬底上溅射沉积铁电薄膜形成铁电薄膜/金属氧化物薄膜/衬底基片;步骤3、将铁电薄膜材料陶瓷靶换为CFO陶瓷靶后,采用溅射沉积薄膜工艺在铁电薄膜上溅射沉积CFO薄膜,最后,在CFO薄膜上再沉积顶上电极,得到顶上电极/CFO薄膜/铁电薄膜/金属氧化物薄膜/衬底铁电电容。 |
地址 |
201620 上海市松江区人民北路2999号 |