| 发明名称 | 薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种薄膜晶体管，包括基板、第一栅极层、绝缘层、第一源/漏极层、第二源/漏极层、半导体层、保护层以及第二栅极层。第一栅极层配置于基板上。绝缘层配置于第一栅极层上。第一源/漏极层配置于绝缘层上。第二源/漏极层配置于绝缘层上。半导体层配置于绝缘层上，并且覆盖第一源/漏极层以及第二源/漏极层。保护层配置于绝缘层上，并且覆盖半导体层。第二栅极层配置于保护层上。第二栅极层利用贯孔与第一栅极层连接，以使两者接触并且保持在同一电位。 | ||
| 申请公布号 | CN103681873A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201310220993.9 | 申请日期 | 2013.06.03 |
| 申请人 | 元太科技工业股份有限公司 | 发明人 | 林冠峄;舒芳安;蔡耀州;余宗玮 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其特征在于其包括：基板；第一栅极层，配置于该基板上；绝缘层，配置于该第一栅极层上；第一源/漏极层，配置于该绝缘层上；第二源/漏极层，配置于该绝缘层上；半导体层，配置于该绝缘层上，并且覆盖该第一源/漏极层以及该第二源/漏极层；保护层，配置于该绝缘层上，并且覆盖该半导体层；以及第二栅极层，配置于该保护层上，其中该第二栅极层利用贯孔与该第一栅极层接触，并且保持在同一电位。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市科学工业园区力行一路3号 | ||