提高金属前介质层空隙填充能力的方法

摘要

本发明公开了一种提高金属前介质层空隙填充能力的方法：在半导体衬底上以浅沟槽隔离区为界，形成具有PMOS结构和NMOS结构的CMOS结构，所述PMOS结构和NMOS结构都至少包括在半导体衬底表面依次形成的栅氧化层和多晶硅栅极，位于多晶硅栅极两侧的侧壁层，以及位于多晶硅栅极两侧且在半导体衬底中的有源区；在CMOS结构表面沉积应力氮化硅层；在所述应力氮化硅层表面沉积氧化硅层，并进行各向异性刻蚀，保留应力氮化硅层侧壁上的氧化硅层；对所述氧化硅层和应力氮化硅层表面进行氟处理，提高金属前介质层在应力氮化硅层表面和氧化硅层表面的生长选择比；沉积金属前介质层。采用本发明能够有效减少栅极与栅极之间出现空洞缺陷。

主权项

一种提高金属前介质层空隙填充能力的方法，该方法包括：在半导体衬底上以浅沟槽隔离区为界，形成具有PMOS结构和NMOS结构的CMOS结构，所述PMOS结构和NMOS结构都至少包括在半导体衬底表面依次形成的栅氧化层和多晶硅栅极，位于多晶硅栅极两侧的侧壁层，以及位于多晶硅栅极两侧且在半导体衬底中的有源区；在CMOS结构表面沉积应力氮化硅层；在所述应力氮化硅层表面沉积氧化硅层，并进行各向异性刻蚀，保留应力氮化硅层侧壁上的氧化硅层；对所述氧化硅层和应力氮化硅层表面进行氟处理，提高金属前介质层在应力氮化硅层表面和氧化硅层表面的生长选择比；沉积金属前介质层。