一种抗体修饰的一维纳米材料晶体管器件及其构筑方法

摘要

本发明公开了一种抗体修饰的一维纳米材料晶体管器件及其构筑方法。该方法包括如下步骤：（1）构建一维纳米材料晶体管；（2）对一维纳米材料晶体管依次进行电子束曝光和氧等离子体刻蚀，在硅纳米线的表面得到一个纳米间隙；（3）经步骤（2）得到的一维纳米材料晶体管器件经刻蚀后与OTS反应，然后与氨基丙炔反应，则得到末端氨基修饰的一维纳米材料晶体管器件；末端氨基修饰的一维纳米材料晶体管器件与戊二醛反应得到醛基修饰的一维纳米材料晶体管器件；所述醛基修饰的一维纳米材料晶体管器件与生物分子反应即得。本发明可以根据特定的目的在硅纳米线晶体管器件表面修饰具有不同功能的生物分子，在适宜条件下进行直接、实时超高灵敏度和选择性的测量，可用于环境监测，临床诊断等不同的实际领域。

主权项

一种构筑抗体修饰的一维纳米材料晶体管器件的方法，包括如下步骤：（1）构建一维纳米材料晶体管，包括如下步骤：（a）在硅基底上旋涂光刻胶Ⅰ，进行曝光得到标记的图案，蒸镀金属后去除所述光刻胶Ⅰ，则在所述硅基底上得到标记的金属；（b）经步骤（a）得到的基底经氧等离子体刻蚀后与APTES反应，在所述基底的表面连接上所述APTES；然后通过微流控的方法将一维纳米材料的乙醇溶液通过所述基底上的微流道，即将所述一维纳米材料组装到所述硅基底上，所述微流道设于所述标记的金属之间；所述APTES表示3‑氨丙基三乙氧基硅烷；（c）经步骤（b）得到的基底经氧等离子体刻蚀后旋涂光刻胶Ⅱ，进行曝光得到所述标记的金属的图案，然后经NH4F缓冲的HF溶液刻蚀后蒸镀所述金属得到电极，继续蒸镀二氧化硅作为保护层，并去除所述光刻胶Ⅱ，即得到一维纳米材料晶体管；（2）对所述一维纳米材料晶体管依次进行电子束曝光和氧等离子体刻蚀，在硅纳米线的表面得到一个纳米间隙，所述纳米间隙的宽度为6nm～50nm，所述纳米间隙的长度为150～200μm；（3）经步骤（2）得到的一维纳米材料晶体管器件经所述NH4F缓冲的HF溶液刻蚀后与OTS反应，然后与氨基丙炔反应，则得到末端氨基修饰的一维纳米材料晶体管器件；所述末端氨基修饰的一维纳米材料晶体管器件与戊二醛反应得到醛基修饰的一维纳米材料晶体管器件；所述醛基修饰的一维纳米材料晶体管器件与生物分子反应即得到单抗体修饰的一维纳米材料晶体管器件；所述OTS表示十八烷基三氯硅烷。