发明名称 | 一种对锗片进行清洗及表面钝化的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种对锗片进行清洗及表面钝化的方法,包括:选择锗片,将锗片置于丙酮和乙醇溶液中分别进行超声清洗,去除锗片表面的有机污染物;采用盐酸溶液和去离子水对锗片进行清洗,去掉残留在锗片表面的不规整的本征氧化锗薄膜和金属离子;将锗片置于双氧水和氨水混合溶液中进行清洗,使得在锗片表面产生一层锗的氧化物薄膜作为牺牲层,从而去除锗片表面的缺陷;采用盐酸溶液对锗片进行钝化处理,从而用氯原子修饰锗表面的悬挂键,获得稳定的锗表面。本发明提供的锗表面清洗与钝化的方法,具有操作简单、使用方便、成本低廉、钝化效果明显等优点。 | ||
申请公布号 | CN103681245A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
申请号 | CN201310737833.1 | 申请日期 | 2013.12.26 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王盛凯;杨旭;刘洪刚;孙兵;常虎东;赵威 |
分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
主权项 | 一种对锗片进行清洗及表面钝化的方法,其特征在于,该方法包括:步骤1:选择锗片,将锗片置于丙酮和乙醇溶液中分别进行超声清洗,去除锗片表面的有机污染物;步骤2:采用盐酸溶液和去离子水对锗片进行清洗,去掉残留在锗片表面的不规整的本征氧化锗薄膜和金属离子;步骤3:将锗片置于双氧水和氨水混合溶液中进行清洗,使得在锗片表面产生一层锗的氧化物薄膜作为牺牲层,从而去除锗片表面的缺陷;步骤4:采用盐酸溶液对锗片进行钝化处理,从而用氯原子修饰锗表面的悬挂键,获得稳定的锗表面。 | ||
地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 |