发明名称 有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法
摘要 本发明提供一种有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法。该有源矩阵有机发光二极管面板包括:第一导电层;栅极绝缘层,形成于第一导电层的上方;氧化物半导体层,具有预设图案;蚀刻阻止层;以及第二导电层。其中,氧化物半导体层的预设图案包括一第一区域和多个第二区域,第一区域与第一导电层的边缘形成四个交界部,每个第二区域为正方形图案且位于交界部的远离蚀刻阻止层的一侧。相比于现有技术,本发明可透过改善第一导电层的栅极图案或者氧化物半导体层的预设图案,使氧化物半导体层被蚀刻时所形成的侧蚀裂缝可避开蚀刻阻止层的干蚀刻区域,因此有效避免下层栅极与上层源极/漏极之间的短路不良情形,提升了产品制程的可靠性。
申请公布号 CN103681770A 申请公布日期 2014.03.26
申请号 CN201310733406.6 申请日期 2013.12.23
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 林冠宇;张凡伟;李仁佑;丁宏哲
分类号 H01L27/32(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I 主分类号 H01L27/32(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 徐金国
主权项 一种有源矩阵有机发光二极管面板,包括一薄膜晶体管,其特征在于,所述有源矩阵有机发光二极管面板还包括:一第一导电层,具有一栅极图案;一栅极绝缘层,形成于所述第一导电层的上方;一氧化物半导体层,位于所述栅极绝缘层的上方,且具有一预设图案;一蚀刻阻止层,位于所述栅极绝缘层和所述氧化物半导体层的上方;以及一第二导电层,包括一源极图案和一漏极图案,通过蚀刻工艺对所述蚀刻阻止层进行处理,以定义出所述薄膜晶体管的源极区和漏极区,其中,所述氧化物半导体层的预设图案包括一第一区域和多个第二区域,所述第一区域为长方形图案并且与所述第一导电层的边缘形成四个交界部,每个第二区域为正方形图案并且位于所述交界部的远离所述蚀刻阻止层的一侧。
地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号