发明名称 |
以能量有效方式干燥薄膜的方法 |
摘要 |
公开了一种以选择性方式最小吸收薄膜的热处理方法。两个邻近设置的吸收痕迹与薄膜热接触地被构图。脉冲的辐射源被用来加热两个吸收痕迹,薄膜通过两个吸收痕迹间的传导而被热处理。该方法可被用来制造薄膜晶体管(TFT),其中薄膜是半导体而吸收体是TFT的源极和漏极。 |
申请公布号 |
CN103688427A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201280023304.9 |
申请日期 |
2012.03.28 |
申请人 |
NCC纳诺责任有限公司 |
发明人 |
K·A·施罗德;I·M·罗森;S·C·麦克库;A·E·埃德;R·I·达斯 |
分类号 |
H01S3/30(2006.01)I |
主分类号 |
H01S3/30(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
杨晓光;于静 |
主权项 |
一种用于干燥具有位于基板上的薄膜的薄膜叠层的方法,所述方法包括:将所述薄膜叠层传送通过闪光灯;以及用复合光脉冲照射所述薄膜叠层以将溶剂从所述薄膜移除,其中所述复合光脉冲由来自所述闪光灯的多个微脉冲形成,其中所述复合光脉冲的总持续时间短于所述薄膜叠层的总热平衡时间。 |
地址 |
美国得克萨斯州 |