发明名称 |
光电转换元件、光电转换元件的制造方法以及电子设备 |
摘要 |
本发明涉及光电转换元件、光电转换元件的制造方法以及电子设备。上述光电转换元件具备:基板;具有设置在基板上的第一导电膜及第二导电膜的第一电极膜;覆盖第一电极膜而设置的金属化合物膜;与金属化合物膜连接设置的半导体膜;与半导体膜连接设置的第二电极膜;以及设置成包覆基板、第一电极膜、半导体膜及金属化合物膜的绝缘膜,上述光电转换元件的制造方法包括:形成与基板连接的第一导电膜以及与第一导电膜连接的第二导电膜的第一电极膜形成工序;在第一电极膜形成工序之后,通过湿蚀刻法将第二导电膜形成为规定的形状的第一图案化工序;以及在第一图案化工序之后,形成覆盖第一电极膜的金属化合物膜的金属化合物膜形成工序。 |
申请公布号 |
CN103681957A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201310421599.1 |
申请日期 |
2013.09.16 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
宫田崇;服部恭典 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/09(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
余刚;吴孟秋 |
主权项 |
一种光电转换元件的制造方法,其特征在于,所述光电转换元件包括:基板;第一电极膜,具有设置在所述基板上的第一导电膜及第二导电膜;金属化合物膜,覆盖所述第一电极膜而设置;半导体膜,与所述金属化合物膜连接设置;第二电极膜,与所述半导体膜连接设置;以及绝缘膜,设置成包覆所述基板、所述第一电极膜、所述半导体膜及所述金属化合物膜,所述光电转换元件的制造方法包括:第一电极膜形成工序,形成与所述基板连接的所述第一导电膜及与所述第一导电膜连接的所述第二导电膜;第一图案化工序,在所述第一电极膜形成工序之后,通过湿蚀刻将所述第二导电膜形成为规定的形状;以及金属化合物膜形成工序,在所述第一图案化工序之后,形成覆盖所述第一电极膜的所述金属化合物膜。 |
地址 |
日本东京 |