一种单电源供电抑制IGBT米勒电容效应的电路

摘要

本发明公开了一种单电源供电抑制IGBT米勒电容效应的电路，包括IGBT驱动部分的单电源供电系统（1）、抑制IGBT米勒电容效应的MOSFET钳位电路拓扑结构（2），所述MOSFET钳位电路拓扑结构（2）包括第一N沟道MOSFET管（Q1）、第二N沟道MOSFET管（Q2）、第一N沟道MOSFET管（Q1）的栅极电阻（R6）、第二N沟道MOSFET管（Q2）的栅极电阻（R7），第一电阻（R5）、第二电阻（R8）、驱动信号电容（C52），下拉电阻（R8），本发明有效抑制由于米勒电容效应引起的IGBT误导通现象，大大降低IGBT的损耗，延长IGBT的使用寿命，对低压小功率变频器的可靠运行提供保障。

主权项

一种单电源供电抑制IGBT米勒电容效应的电路，包括IGBT驱动部分的单电源供电系统（1）、抑制IGBT米勒电容效应的MOSFET钳位电路拓扑结构（2），其特征在于， 所述MOSFET钳位电路拓扑结构（2），包括第一N沟道MOSFET管（Q1）、第二N沟道MOSFET管（Q2）、第一N沟道MOSFET管（Q1）的栅极电阻（R6）、第二N沟道MOSFET管（Q2）的栅极电阻（R7），第一电阻（R5）、第二电阻（R8）、驱动信号电容（C52），下拉电阻（R8），逆变器中的IGBT上桥臂驱动光耦（U1）的驱动信号通过第一电阻（R5）直接作用到IGBT的栅极，第一N沟道MOSFET管（Q1）的栅极通过第二电阻（R6）与光耦（U1）的输出端相连，第二N沟道MOSFET管（Q2）的门极通过其栅极电阻（R7）与IGBT驱动电源的正极相连，第一N沟道MOSFET管（Q1）的漏极与第二N沟道MOSFET管（Q2）的栅极直接相连，第一N沟道MOSFET管（Q1）的源极与第二N沟道MOSFET管（Q2）的源极直接连接到单电源供电的地U‑网络上；所述下拉电阻（R8）与驱动信号电容（C52）并联，单电源供电系统（1）的第一滤波电容（C1）、第二滤波（C2）并联，均为一端与单电源供电系统（1）的正极U+相连，另一端与单电源供电系统（1）的地U‑相连；所述下拉电阻（R8）防止IGBT栅极静电击穿，所述驱动信号电容（C52）防止IGBT其他干扰误导通。