| 发明名称 | 光电转换元件以及太阳电池 | ||
| 摘要 | 本发明的实施方式的目的是提供高效率的光电转换元件以及太阳电池。实施方式的光电转换元件具备：由I－III－VI2族化合物或I2－II－IV－VI4族化合物的p型化合物半导体层和n型化合物半导体层进行同质接合而成的光电转换层、透明电极、形成于光电转换层和透明电极之间的n型层上的平均膜厚为1nm～10nm的中间层、以及形成于中间层和透明电极之间的窗层。 | ||
| 申请公布号 | CN103681904A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201310430246.8 | 申请日期 | 2013.09.18 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 芝崎聪一郎;平贺广贵;中川直之;山崎六月;山本和重;樱田新哉;稻叶道彦 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 张楠;陈建全 |
| 主权项 | 一种光电转换元件，其具备：由I－III－VI2族化合物或I2－II－IV－VI4族化合物的p型化合物半导体层和n型化合物半导体层进行同质接合而成的光电转换层、透明电极、形成于所述光电转换层和所述透明电极之间的所述n型层上的平均膜厚为1nm～10nm的中间层、以及形成于所述中间层和所述透明电极之间的窗层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||