发明名称 |
调整双极结型晶体管集电极反向击穿电压的方法 |
摘要 |
一种调整双极结型晶体管集电极反向击穿电压的方法,包括在氢气气氛中对集电极反向击穿电压大于预期值的双极结型晶体管进行退火,以降低集电极反向击穿电压的步骤。通过本发明调整BVCEO,其变化值稳定、波动小,能够对BVCEO进行精确控制。工艺流程简单、适用于大规模量产,相对于现有的控制办法,不需要提供昂贵且效率低的半导体生产及测试设备,对于已经出现的BVCEO与预期的偏差,能够重新进行调整,避免产品报废。 |
申请公布号 |
CN103681313A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201310654659.4 |
申请日期 |
2013.12.05 |
申请人 |
深圳深爱半导体股份有限公司 |
发明人 |
于祝鹏 |
分类号 |
H01L21/324(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/324(2006.01)I |
代理机构 |
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 |
代理人 |
吴平 |
主权项 |
一种调整双极结型晶体管集电极反向击穿电压的方法,其特征在于,包括在氢气气氛中对集电极反向击穿电压大于预期值的双极结型晶体管进行退火,以降低集电极反向击穿电压的步骤。 |
地址 |
518118 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号 |