发明名称 |
一种制备单层六角氮化硼的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制备单层六角氮化硼薄膜的方法,属于薄膜材料制备领域。其主要原理为:在真空环境中或保护气体环境中,在基底(1)上蒸镀金属薄膜(2)。加热基底和金属薄膜至700至1200K。通入含有氮和硼的气体(3)。利用金属气体(3)的催化作用在金属表面形成单层氮化硼薄膜(4)。之后将整个样品冷却到室温。利用腐蚀性溶液腐蚀金属,实现单层氮化硼薄膜(4)和基底(1)的分离。通过此方法可以廉价快速清洁地制备单层氮化硼薄膜材料。 |
申请公布号 |
CN103668106A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201210328090.8 |
申请日期 |
2012.09.01 |
申请人 |
董国材 |
发明人 |
董国材 |
分类号 |
C23C16/34(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/34(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
本发明公开了一种制备单层六角氮化硼薄膜的方法。包括:基底材料(1)、金属薄膜(2)、含氮原子硼原子的气体(3)、单层氮化硼薄膜(4)、气体分解后的剩余分子或原子(5)、其特征为:在真空环境中或保护气体环境中,在基底(1)上蒸镀金属薄膜(2);加热基底和金属薄膜至700至1200K;通入含有氮和硼的气体(3);利用金属气体(3)的催化作用在金属表面形成单层氮化硼薄膜(4);之后将整个样品冷却到室温;利用腐蚀性溶液腐蚀金属,实现单层氮化硼薄膜(4)和基底(1)的分离;通过此方法可以廉价快速清洁地制备单层氮化硼薄膜材料。 |
地址 |
213000 江苏省常州市天宁区中吴大道兰陵尚品8幢甲单元1002 |