限制电路和用于限制半导体晶体管上的电压的方法

摘要

本发明涉及限制电路和用于限制半导体晶体管上的电压的方法。本发明涉及用于至少一个半导体晶体管的限制电路，具有限制路径和电压源，所述限制路径耦合在所述半导体晶体管的第一功率端子和第二功率端子之间并且具有限制晶体管，其中所述限制路径在所述限制晶体管和所述半导体晶体管的所述第二功率端子之间的节点与所述半导体晶体管的控制端子耦合，所述电压源与所述限制晶体管的控制端子耦合，并且所述电压源被设计用于，给所述限制晶体管的所述控制端子加载控制电压，所述控制电压相应于用于所述半导体晶体管的所述第一功率端子和所述第二功率端子之间的电压的极限电压，在所述限制晶体管的功率端子处对所述极限电压的超出对限制晶体管加偏压。

主权项

一种用于至少一个半导体晶体管（15）的限制电路（1），具有：限制路径（2），所述限制路径耦合在所述半导体晶体管（15）的第一功率端子（25）和第二功率端子（26）之间，并且具有限制晶体管（5），其中所述限制路径（2）在所述限制晶体管（5）和所述半导体晶体管（15）的所述第二功率端子（26）之间的节点（6）与所述半导体晶体管（15）的控制端子（27）耦合，和电压源（7），所述电压源与所述限制晶体管（5）的控制端子（9）耦合，并且所述电压源被设计用于，给所述限制晶体管（5）的所述控制端子（9）加载控制电压，所述控制电压相应于用于所述半导体晶体管（15）的所述第一功率端子（25）和所述第二功率端子（26）之间的电压的极限电压，在所述限制晶体管（5）的功率端子处对所述极限电压的超出对所述限制晶体管（5）加偏压。