发明名称 一种监控多晶硅炉管晶圆厚度的方法
摘要 本发明公开了一种监控晶圆厚度的方法,通过在晶舟内放置4片监测晶圆来对反应炉内晶舟上放置的晶圆多晶硅生长厚度进行监测,相比较现有技术至少采用6片监控片进行监控减少了1/3的成本,同时在不影响晶圆多晶硅生长的前提下,可在晶舟上放置更多的产品晶圆,提高了生产效率。
申请公布号 CN103681416A 申请公布日期 2014.03.26
申请号 CN201310630346.5 申请日期 2013.11.29
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 肖天金;毛智彪
分类号 H01L21/67(2006.01)I 主分类号 H01L21/67(2006.01)I
代理机构 上海申新律师事务所 31272 代理人 竺路玲
主权项 一种监控片厚度的方法,其特征在于,包括一反应炉,所述反应炉内有一晶舟,所述晶舟上放置有若干片上下表面相邻的晶圆,形成多个产品晶圆区和多个档片晶圆区,每个所述产品晶圆区皆位于相邻两个档片晶圆区之间;其中,每个产品晶圆区的的顶部、中部和底部各放置有监控片,选取任意一产品晶圆区中部、底部位置处的监控片及顶部下方的监控片以检测该产品晶圆区的各位置处的产品晶圆生长厚度。
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