发明名称 | 固态成像装置、其制造方法以及电子信息设备 | ||
摘要 | 固态成像装置100a包括:光电变换元件PD1和PD2,其形成在半导体衬底100内;以及转移晶体管Tt1和Tt2,其形成在半导体衬底100的第一主表面上,用于转移由光电变换元件PD1和PD2生成的信号电荷。转移晶体管中的每一个的栅极电极107被配置成,配置在电荷累积区102的第一主表面侧的表面上,所述电荷累积区102配置光电变换元件中的每一个。栅极电极107被配置有多晶硅栅极层107a和由用于覆盖多晶硅栅极层107a的表面的由高熔点金属硅化物层107b构成的反射膜。结果,针对固态成像装置实现灵敏度的改善。 | ||
申请公布号 | CN103688360A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
申请号 | CN201280037073.7 | 申请日期 | 2012.05.24 |
申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 小西武文 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 毛立群;王忠忠 |
主权项 | 一种固态成像装置,其包括被形成在第一导电性类型半导体衬底中的用于对入射光进行光电变换来生成信号电荷的光电变换元件,其中,由光电变换元件生成的信号电荷被变换成图像信号,通过信号处理,其被输出,该固态成像装置还包括转移晶体管,其被形成在半导体衬底的第一主表面上,用于将由光电变换元件生成的信号电荷转移到光电变换元件的外部,其中,该转移晶体管包括栅极电极,其以如下这样的方式被定位:从第一主表面上的被转移晶体管占用的区域延伸到第一主表面上的被光电变换元件占用的区域,并且被配置在这些区域上,以及其中,构成转移晶体管的栅极电极的至少一个层的至少一部分由反射膜构成,或者在转移晶体管的栅极电极上的区域的至少一部分中形成有反射膜。 | ||
地址 | 日本大阪府大阪市 |