| 发明名称 | 集成电路器件、半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了集成电路器件、半导体器件及其制造方法。该集成电路器件包括：间隔开的导电图案，在基板表面上；支撑图案，在导电图案中的相邻导电图案之间的基板表面上并且通过相应间隙区而与导电图案分离。导电图案中的相邻导电图案远离基板表面延伸而超过在其间的支撑图案的表面。盖层被提供在导电图案的相应表面上和支撑图案的表面上。 | ||
| 申请公布号 | CN103681600A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201310399888.6 | 申请日期 | 2013.09.05 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 韩奎熙;安商燻 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 一种集成电路器件，包括：间隔开的导电图案，在基板表面上；支撑图案，在所述导电图案中的相邻导电图案之间的所述基板表面上并通过相应间隙区与所述导电图案分离，其中所述导电图案中的所述相邻导电图案远离所述基板表面延伸而超出在其间的所述支撑图案的表面；以及盖层，在所述导电图案的相应表面上和在所述支撑图案的所述表面上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||