| 发明名称 | 半导体器件、其制造方法及具有该器件的组件与系统 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体器件、其制造方法及具有该器件的组件与系统，半导体器件包括：接面区域，其形成于在半导体基板中形成的沟槽的两个侧壁的上部；第一栅电极，其埋入于沟槽中且具有台阶式上表面；以及第二栅电极，其形成于第一栅电极上而与接面区域重叠。 | ||
| 申请公布号 | CN103681804A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201310196616.6 | 申请日期 | 2013.05.24 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 吴泰京;刘敏秀 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;G11C8/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 顾红霞;何胜勇 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体基板，其具有沟槽，所述沟槽具有第一侧壁及第二侧壁；接面区域，其设置于所述沟槽的第一侧壁的上部及第二侧壁的上部；第一栅电极，其具有埋入于所述沟槽中的台阶式上表面；以及第二栅电极，其设置于所述第一栅电极上而与所述接面区域重叠。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||