| 发明名称 | 一种监控弱点形成原因的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种监控弱点形成原因的方法，包括：步骤一：建立OPC模型和监控模型，所述OPC模型是根据多个位置处的图案对应地在测试版图上的初始测试版图尺寸和经光刻工艺后在样品晶片的样品晶片尺寸来获得的，所述监控模型是根据所述多个位置处的图案对应地在所述测试版图上的修正后测试版图尺寸和所述样品晶片尺寸来获得的，其中，所述修正后测试版图尺寸是根据所述多个位置处的图案对应地在测试掩膜版上的测试掩膜版尺寸来修正的；以及步骤二：利用所述OPC模型和所述监控模型来确定晶片上的弱点的形成原因。本发明通过构建OPC模型和监控模型能够有效且准确地查找弱点的形成原因。 | ||
| 申请公布号 | CN103676490A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201210353296.6 | 申请日期 | 2012.09.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 曹清晨 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F1/36(2012.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;付伟佳 |
| 主权项 | 一种监控弱点形成原因的方法，其特征在于，包括：步骤一：建立OPC模型和监控模型，所述OPC模型是根据多个位置处的图案对应地在测试版图上的初始测试版图尺寸和经光刻工艺后在样品晶片的样品晶片尺寸来获得的，所述监控模型是根据所述多个位置处的图案对应地在所述测试版图上的修正后测试版图尺寸和所述样品晶片尺寸来获得的，其中，所述修正后测试版图尺寸是根据所述多个位置处的图案对应地在测试掩膜版上的测试掩膜版尺寸来修正的；以及步骤二：利用所述OPC模型和所述监控模型来确定晶片上的弱点的形成原因。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||