| 发明名称 | 离子注入方法以及离子注入装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种离子注入方法以及离子注入装置，该技术适当地检测注入离子过程中的放电现象。本发明的离子注入方法，将由离子源产生的离子传输至晶圆，并以离子束照射晶圆而注入离子，其中，所述方法包括状态判断工序，该工序在向晶圆注入离子的过程中，使用多个能够检测存在放电可能性的现象的检测部，并根据检测出的存在放电可能性的现象的有无以及该现象影响离子束的程度来判断离子束的状态。 | ||
| 申请公布号 | CN103681265A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201310367539.6 | 申请日期 | 2013.08.21 |
| 申请人 | 斯伊恩股份有限公司 | 发明人 | 二宫史郎;香川唯信;弓山敏男;舩井晃;黑田隆之 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01J37/317(2006.01)I;H01J37/244(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 夏斌;陈萍 |
| 主权项 | 一种离子注入方法，其将由离子源产生的离子传输至晶圆，并以离子束照射晶圆而注入离子，其特征在于，包括状态判断工序，该状态判断工序在向晶圆注入离子的过程中，使用多个能够检测存在放电可能性的现象的检测部，并根据检测出的存在放电可能性的现象的有无以及该现象影响离子束的程度来判断所述离子束的状态。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||