一种SiC材料清洗方法

摘要

本发明涉及SiC器件的制作工艺，具体涉及一种SiC材料清洗方法。该方法包括SiC材料含氧混合等离子体氧化、氧化膜去除、常规无机清洗、常规有机清洗，关键的工艺改进是在氧等离子体氧化成膜过程中增加了其它含氧混合等离子体气体。本发明解决了以往只采用氧气等离子体氧化工艺的成膜效率低的问题，可以在SiC表面快速获得氧化物薄膜，该方法可以有效便捷的进行SiC材料清洗。

主权项

一种SiC材料清洗方法，所述方法包括依次进行的SiC材料含氧混合等离子体氧化、氧化膜去除、常规无机清洗和常规有机清洗步骤，其特征在于，在SiC材料含氧混合等离子体氧化过程中增加含氧混合等离子体，所述含氧混合等离子体轰击SiC材料表面，通过控制Si‑C键的打开，增加氧等离子体气体与Si发生氧化反应的概率，在SiC材料表面获得氧化薄膜。