Ⅲ族氮化物类半导体发光元件及外延晶圆

摘要

本发明提供一种可以降低空穴从活性层的溢出而提高量子效率的Ⅲ族氮化物类半导体发光元件以及用于该Ⅲ族氮化物类半导体发光元件的外延晶圆。活性层(19)位于p型GaN类半导体区域(15)和空穴阻挡层(17)之间，因此空穴(H)从p型GaN类半导体区域(15)供给到活性层(19)。空穴阻挡层(17)的厚度(D17)小于GaN类半导体层(13)的厚度(D13)。空穴阻挡层(17)的带隙(G17)大于GaN类半导体区域(23)的带隙的最大值，因此空穴阻挡层(17)对要从活性层(19)溢出的空穴起到障壁(ΔGH)的作用。因此，空穴阻挡层(17)降低了从活性层(19)溢出并到达GaN类半导体区域(23)的空穴的量。

主权项

一种III族氮化物类半导体发光元件，其特征在于，包括：基板，由氮化镓类半导体构成，具有呈现半极性的主面，n型氮化镓类半导体区域，设置在上述基板的上述主面上，具有沿着预定平面延伸的主面；p型氮化镓类半导体区域；由第一氮化镓类半导体构成的空穴阻挡层；和由氮化镓类半导体构成的活性层，该活性层设置在上述p型氮化镓类半导体区域和上述空穴阻挡层之间，上述n型氮化镓类半导体区域设置在上述基板和上述空穴阻挡层之间，上述空穴阻挡层及上述活性层配置在上述n型氮化镓类半导体区域的上述主面和上述p型氮化镓类半导体区域之间，上述n型氮化镓类半导体区域的c轴相对于上述预定平面的法线倾斜，上述空穴阻挡层的带隙大于上述n型氮化镓类半导体区域的带隙，上述空穴阻挡层的带隙大于上述活性层中的带隙的最大值，上述空穴阻挡层的厚度小于上述n型氮化镓类半导体区域的厚度，上述n型氮化镓类半导体区域的c轴和上述预定平面的法线所成的倾斜角为10度以上、80度以下。