一种正装结构的发光二极管外延片

摘要

本实用新型公开了一种正装结构的发光二极管外延片，属于半导体技术领域。外延片包括：衬底、以及依次层叠在衬底上的Al层、AlN成核层、未掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层和p型层，外延片还包括设于n型层内的反射层，反射层为分布式布拉格结构，分布式布拉格结构的每一周期包括AlxInyGa1-x-yN层和层叠在AlxInyGa1-x-yN层上的AlaInbGa1-a-bN层，AlxInyGa1-x-yN层和AlxInyGa1-x-yN层均掺杂有Si，且AlxInyGa1-x-yN层和AlaInbGa1-a-bN层掺杂的Si的量不同。本实用新型通过反射层将多量子阱层发出的光反射回去，提高了发光效率。

主权项

一种正装结构的发光二极管外延片，所述外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的Al层、AlN成核层、未掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层和p型层，其特征在于，所述外延片还包括设于所述n型层内的反射层，所述反射层为分布式布拉格结构，所述分布式布拉格结构的每一周期包括n型AlxInyGa1‑x‑yN层和层叠在所述n型AlxInyGa1‑x‑yN层上的n型AlaInbGa1‑a‑bN层，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤a≤1，0≤b≤1。