发明名称 |
含钛溅射靶的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种含钛溅射靶的制造方法,所述含钛溅射靶可减少由晶格缺陷引起的异常放电的发生次数。所述方法包括:分别制造含高熔点金属的第一金属粉末与含钛的第二金属粉末。然后,在695℃以上对第一金属粉末与第二金属粉末的混合粉末进行烧结后,在685℃以下进行热处理。烧结后,通过在685℃以下对烧结体进行热处理,从而减少烧结相中的板状组织(晶格缺陷)。由此,可以得到异常放电的发生次数少的含钛溅射靶。 |
申请公布号 |
CN102597301B |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201080048483.2 |
申请日期 |
2010.10.22 |
申请人 |
株式会社爱发科 |
发明人 |
高桥一寿;新田纯一 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I;B22F1/00(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;B22F9/08(2006.01)I;B22F9/22(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 |
代理人 |
蒋雅洁;孟桂超 |
主权项 |
一种含钛溅射靶的制造方法,其特征在于,所述方法包括:分别制造含钼的第一金属粉末与含钛的第二金属粉末,将所述第一金属粉末与所述第二金属粉末混合,在695℃以上对所述第一金属粉末与所述第二金属粉末的混合粉末进行加压烧结,在500℃以上且685℃以下对烧结后的所述混合粉末进行热处理,从而将烧结相中的板状组织的比例抑制在80%以下。 |
地址 |
日本神奈川县 |