一种半导体P、N类型非接触测试装置

摘要

本发明涉及一种半导体P、N类型非接触测试装置，包括红外发射激励脉冲驱动电路，用于给传感器传送激发脉冲；传感器，用于激发半导体表面生成光生电荷并生成电荷信号；电荷放大器，用于将接收的电荷信号进行放大生成放大电荷信号传；整形放大器，用于将接收的放大电荷信号进行整形生成电平信号；相位钳位电路，用于将接收的电平信号进行钳制以判断半导体P、N类型。本发明传感器激发半导体表面诱发产生光生电荷并生成相应的电荷信号，电荷信号依次经过电荷放大器、整形放大器、相位钳位电路后生成电平信号，从而分别出半导体的P、N类型，采用红外激发二极管在感应距离不超过0.15mm也可达到较高的准确度，不需要直接与半导体接触。

主权项

一种半导体P、N类型非接触测试装置，其特征在于，包括：红外发射激励脉冲驱动电路，其输出端与下述传感器连接，用于给下述传感器传送激发脉冲；传感器，其输出端与下述电荷放大器连接，用于激发半导体表面生成光生电荷并收集生成电荷信号传送给电荷放大器；电荷放大器，其输出端与下述整形放大器连接，用于将接收的电荷信号进行放大生成放大电荷信号传送给整形放大器；整形放大器，其输出端与下述相位钳位电路连接，用于将接收的放大电荷信号进行整形生成电平信号传送给相位钳位电路；相位钳位电路，用于将接收的电平信号进行钳制以判断半导体P、N类型。