| 发明名称 | 半导体存储器设备及其操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体存储器设备及其操作方法。所述半导体存储器设备包括：存储单元块，其被配置成具有存储单元组；外围电路，其被配置用于通过向所述存储单元组中的存储单元供给读取电压来读取数据；故障检测电路，其被配置用于根据所述外围电路读取的数据执行存储单元组的合格/故障检验操作；以及控制电路，其被配置用于在根据所述合格/故障检验操作判定出一个或多个存储单元组故障的情况下控制所述外围电路和所述故障检测电路使用不同于所述读取电压的补偿读取电压再次执行关于所述存储单元组的读取操作。 | ||
| 申请公布号 | CN103680614A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201310041411.0 | 申请日期 | 2013.02.01 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 李炯珉 |
| 分类号 | G11C16/06(2006.01)I;G11C29/12(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 许伟群;郭放 |
| 主权项 | 一种半导体存储器设备，包括：存储单元块，其被配置成具有存储单元组；外围电路，其被配置用于通过向所述存储单元组中的存储单元供给读取电压来读取数据；故障检测电路，其被配置用于根据所述外围电路读取的数据执行所述存储单元组的合格/故障检验操作；以及控制电路，其被配置用于：在根据所述合格/故障检验操作判定出一个或多个存储单元组故障的情况下，控制所述外围电路和所述故障检测电路使用不同于所述读取电压的补偿读取电压再次执行关于所述存储单元组的读取操作。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||