压印存储器

摘要

高昂的数据掩膜版成本将极大地限制掩膜编程只读存储器（mask-ROM）的广泛应用。本发明提出一种压印存储器（imprintedmemory），尤其是三维压印存储器（three-dimensionalimprintedmemory，简称为3D-iP）。它采用采用压印法（imprint-lithography）来录入数据。压印法也称为纳米压印法（nano-imprintlithography，简称为NIL），其采用的数据模版（template）比光刻法采用的数据掩膜版成本价格更为低廉。

主权项

一种制造压印存储器的方法，其特征在于包括如下步骤：1）形成一数据录入膜；2）通过压印法将数据图形从一数据模版转换到该数据录入膜中；3）形成多条与该数据录入膜耦合的地址线；其中，该数据图形代表存储于该存储器中的数据，且该数据图形具有纳米尺度，且不具有微米尺度周期性。