发明名称 多层同质生长铁酸铋薄膜材料及其制备方法
摘要 本发明公开了多层同质生长铁酸铋薄膜材料,包括底电极和铁酸铋薄膜,所述底电极是镍酸镧薄膜,所述铁酸铋薄膜溅射生长在所述底电极上。本发明还公开了多层同质生长铁酸铋薄膜材料的制备方法,用磁控溅射法在硅基片上制备所述底电极,采用固相法制备铁酸铋薄膜;在底电极上溅射一层所述铁酸铋薄膜,然后快速退火,重复以上溅射过程6-8次;最后慢退火处理,得到所述多层同质生长铁酸铋薄膜材料。本发明得到的铁酸铋薄膜均匀性好、纯度高、致密性好,表面性质明显改善。本发明方法利用磁控溅射法可控性强,易于操控,可以精确控制薄膜的厚度。
申请公布号 CN103668060A 申请公布日期 2014.03.26
申请号 CN201310646917.4 申请日期 2013.12.04
申请人 华东师范大学 发明人 严胡睿;周文亮;杨平雄;褚君浩
分类号 C23C14/06(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I 主分类号 C23C14/06(2006.01)I
代理机构 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 代理人 董红曼
主权项 多层同质生长铁酸铋薄膜材料,其特征在于,包括底电极和铁酸铋薄膜,所述底电极是镍酸镧薄膜,所述铁酸铋薄膜溅射生长在所述底电极上。
地址 200062 上海市普陀区中山北路3663号