发明名称 |
多层同质生长铁酸铋薄膜材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了多层同质生长铁酸铋薄膜材料,包括底电极和铁酸铋薄膜,所述底电极是镍酸镧薄膜,所述铁酸铋薄膜溅射生长在所述底电极上。本发明还公开了多层同质生长铁酸铋薄膜材料的制备方法,用磁控溅射法在硅基片上制备所述底电极,采用固相法制备铁酸铋薄膜;在底电极上溅射一层所述铁酸铋薄膜,然后快速退火,重复以上溅射过程6-8次;最后慢退火处理,得到所述多层同质生长铁酸铋薄膜材料。本发明得到的铁酸铋薄膜均匀性好、纯度高、致密性好,表面性质明显改善。本发明方法利用磁控溅射法可控性强,易于操控,可以精确控制薄膜的厚度。 |
申请公布号 |
CN103668060A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201310646917.4 |
申请日期 |
2013.12.04 |
申请人 |
华东师范大学 |
发明人 |
严胡睿;周文亮;杨平雄;褚君浩 |
分类号 |
C23C14/06(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/06(2006.01)I |
代理机构 |
上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 |
代理人 |
董红曼 |
主权项 |
多层同质生长铁酸铋薄膜材料,其特征在于,包括底电极和铁酸铋薄膜,所述底电极是镍酸镧薄膜,所述铁酸铋薄膜溅射生长在所述底电极上。 |
地址 |
200062 上海市普陀区中山北路3663号 |