半导体装置的制造方法、半导体装置

摘要

本发明提供半导体装置的制造方法、半导体装置，其通过简易的制造方法获得利用焊锡进行接合情况下的高可靠性。首先，使温度上升到预热温度（区域Ⅰ：升温步骤）。接着，该预热温度被保持50～120秒钟（区域Ⅱ：预热步骤）。预热温度为比环氧树脂的硬化温度（180℃）低20～40℃的温度，这里约为150℃。然后，使峰值温度为比金属粒子（焊锡）52的熔点（220℃）高的260～280℃范围，例如为250℃，并保持30～50秒钟（区域Ⅲ：熔化步骤）。在该制造方法中，在预热步骤中，成为在未硬化的状态下焊剂包围半导体芯片的外周部的形态。然后，在熔化步骤中，密集状态的金属粒子熔化并熔合。

主权项

一种半导体装置的制造方法，将焊锡膏夹在半导体芯片与金属板之间来接合所述半导体芯片和所述金属板，该制造方法的特征在于，所述焊锡膏包含85重量百分比～90重量百分比的金属粒子、作为焊剂的环氧树脂、具有活化效果的硬化剂和活化剂，该制造方法具有芯片焊接步骤，在该芯片焊接步骤中，在焊锡接合后，利用未硬化的所述环氧树脂覆盖焊锡接合的外周侧面和所述半导体芯片的外周侧面的至少一部分。