半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件，其静电电容小、接通电阻低。根据本发明的实施方式的半导体器件包括：第1半导体层；第2半导体层；第9半导体层，设置在上述第2半导体层上；第3半导体层；被上述第3半导体层包围的第1区域；第4半导体层；上述第2半导体层上的第2区域；第5半导体层；第6半导体层；与上述第1半导体层连接的第1端子；以及与上述第5半导体层和上述第6半导体层连接的第2端子。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括：第1导电类型的第1半导体层；第2导电类型的第2半导体层，设置在上述第1半导体层上的一部分；第2导电类型的第9半导体层，具有比上述第2半导体层的第2导电类型杂质浓度低的第2导电类型杂质浓度，设置在上述第1半导体层和上述第2半导体层上；第1导电类型的第3半导体层，从上述第9半导体层的表面到达上述第1半导体层；第1区域，在上述第9半导体层内被上述第3半导体层包围；第2导电类型的第4半导体层，从上述第9半导体层的表面到达上述第1半导体层，具有比上述第9半导体层的第2导电类型杂质浓度高的第2导电类型杂质浓度；上述第2半导体层上的第2区域，在上述第9半导体层内被上述第4半导体层包围；第2导电类型的第5半导体层，设置在上述第1区域的表面，具有比上述第4半导体层的上述第2导电类型杂质浓度高的第2导电类型杂质浓度；第1导电类型的第6半导体层，设置在上述第2区域的表面，具有比上述第1半导体层的第1导电类型杂质浓度高的第1导电类型杂质浓度；第1端子，与上述第1半导体层电连接；以及第2端子，与上述第5半导体层和上述第6半导体层电连接。