发明名称 |
NLDMOS器件及制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种NLDMOS器件,可集成在BCD工艺中,利用现有的工艺条件,在漏端利用P型漏注入替代传统的N型漏注入,增加空穴电流,使器件的导通电阻较低。本发明还公开了所述NLDMOS器件的制造方法。 |
申请公布号 |
CN103681791A |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201210325764.9 |
申请日期 |
2012.09.05 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
段文婷;石晶;刘冬华;胡君 |
分类号 |
H01L29/10(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/10(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种NLDMOS器件,其特征在于:在P型硅衬底上具有N型埋层,N型埋层之上为N型深阱;所述NLDMOS器件的多晶硅栅极,位于N型深阱之上的硅表面,且与硅表面之间间隔一层栅氧化层,多晶硅栅极及栅氧化层两端均具有氧化物侧墙;所述多晶硅栅极一侧的N型深阱中,具有一P型阱,所述P型阱一侧位于栅氧化层下方的N型深阱中,另一侧位于一场氧下,P型阱中具有第一重掺杂P型区及重掺杂N型区,且第一重掺杂P型区与重掺杂N型区之间间隔一场氧区,所述重掺杂N型区位于栅极侧墙下,重掺杂N型区作为LDMOS器件的源区引出;所示多晶硅栅极的另一侧N型深阱中,一场氧位于该侧栅极侧墙下,其与另一场氧之间具有一N型阱,所述N型阱中,具有第二重掺杂P型区,所述第二重掺杂P型区作为LDMOS器件的漏区引出;在器件表面具有多个接触孔及引线引出第一重掺杂P型区、重掺杂N型区、第二重掺杂P型区,分别引出P型阱、LDMOS的源极及漏极。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |