有源区的离子注入方法

摘要

一种有源区的离子注入方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构，相邻的浅沟槽隔离结构之间的区域为有源区，所述有源区包括第一类型有源区和第二类型有源区，第一类型有源区和第二类型有源区的类型不同；形成图形化的吸光层，覆盖与第一类型有源区相邻的浅沟槽隔离结构；形成图形化的掩膜层，覆盖第二类型有源区以及所述图形化的吸光层；以所述图形化的掩膜层为掩膜对第一类型有源区进行离子注入。在本技术方案中，吸光层的存在避免出现光刻胶过曝光现象，避免对第一类型有源区进行离子注入时，掺杂离子对第二类型有源区造成掺杂，确保精确离子注入，使得最终形成的半导体器件具有较佳性能。

主权项

一种有源区的离子注入方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构，相邻的浅沟槽隔离结构之间的区域为有源区，所述有源区包括第一类型有源区和第二类型有源区，第一类型有源区和第二类型有源区的类型不同；形成图形化的吸光层，覆盖与第一类型有源区相邻的浅沟槽隔离结构；形成图形化的掩膜层，覆盖第二类型有源区以及所述图形化的吸光层；以所述图形化的掩膜层为掩膜对第一类型有源区进行离子注入。