一种沟槽金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

摘要

本发明公开一种由以下步骤制得的沟槽金属氧化物半导体场效应管：在外延层的上表面淀积形成接触绝缘层；提供接触掩模版并刻蚀所述的接触绝缘层形成接触孔洞；在接触孔洞上方对所述外延层进行有角度的源区掺杂剂的离子注入并经过离子扩散形成源区。根据本发明的结构，可以节省源区掩模版并改善源区的电阻特性。

主权项

一种沟槽金属氧化物半导体场效应管的制造方法，包括：在第一导电类型的外延层中形成多个第一类沟槽栅和第二导电类型的体区；在所述外延层的上表面淀积一层接触绝缘层；提供接触掩模版并在所述的接触绝缘层中刻蚀形成接触孔洞；通过所述的接触孔洞进行多角度的第一导电类型掺杂剂的离子注入，并进行离子扩散形成源区；和沿所述的接触孔洞的侧壁进行硅刻蚀，使其穿过所述的源区并延伸入所述的体区。