| 发明名称 | 降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法，包括：在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层；在第一硬掩模层上形成第二硬掩模层；在第二硬掩模层上形成电子束光刻胶图形；以电子束光刻胶图形为掩模，刻蚀第二硬掩模层形成第二硬掩模图形；以第二硬掩模图形为掩模，刻蚀第一硬掩模层形成第一硬掩模图形；以第一和第二硬掩模图形为掩模，刻蚀结构材料层，形成所需要的线条。依照本发明的方法，采用材质不同的多层硬掩模层并且多次刻蚀，防止了电子束光刻胶侧壁粗糙度传递到下层的结构材料层，有效降低了线条的粗糙度，提高了工艺的稳定性，降低了器件性能的波动变化。 | ||
| 申请公布号 | CN103676491A | 申请公布日期 | 2014.03.26 |
| 申请号 | CN201210353546.6 | 申请日期 | 2012.09.20 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 孟令款;贺晓彬;李春龙 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F1/20(2012.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法，包括：在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层；在第一硬掩模层上形成第二硬掩模层；在第二硬掩模层上形成电子束光刻胶图形；以电子束光刻胶图形为掩模，刻蚀第二硬掩模层形成第二硬掩模图形；以第二硬掩模图形为掩模，刻蚀第一硬掩模层形成第一硬掩模图形；以第一和第二硬掩模图形为掩模，刻蚀结构材料层，形成所需要的线条。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||