发明名称 |
一种磁控电弧离子镀复合沉积装置 |
摘要 |
本实用新型属于材料表面改性领域,具体为一种磁控电弧离子镀复合沉积装置,用于控制阴极弧斑运动速度,约束等离子体的传输,提高薄膜的沉积速率和沉积均匀性,减少靶材表面大颗粒的喷射,提高靶材刻蚀均匀性。电弧离子镀装置设置有两套磁场发生装置,一套置于靶材后面,另一套置于等离子体传输通道外侧,通过两套磁场发生装置产生的耦合磁场辅助对基体表面进行薄膜沉积。本实用新型通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场,可以减少靶材表面大颗粒的发射和薄膜中大颗粒的数量,解决了传统工艺等离子体在传输空间上的不均匀性,提高了等离子体的利用率,增加了薄膜的沉积速率与薄膜厚度均匀性,为制备各种高性能的薄膜提供有效保障。 |
申请公布号 |
CN203498466U |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201320661704.4 |
申请日期 |
2013.10.22 |
申请人 |
中国科学院金属研究所 |
发明人 |
赵彦辉;肖金泉;于宝海;华伟刚;宫骏;孙超 |
分类号 |
C23C14/46(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/46(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 |
代理人 |
张志伟 |
主权项 |
一种磁控电弧离子镀复合沉积装置,其特征在于,电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置:一套磁场发生装置Ⅰ置于靶材后面,称为弧斑约束磁场发生装置;另一套磁场发生装置Ⅱ置于真空室外的等离子体传输通道外侧,称为等离子体约束磁场发生装置;通过两套磁场发生装置产生的耦合磁场,辅助对基体表面进行薄膜沉积。 |
地址 |
110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 |