发明名称 |
高功率腔内倍频半导体薄片激光器 |
摘要 |
本实用新型涉及高功率腔内倍频半导体薄片激光器,属于半导体激光器领域。本实用新型采用散热窗口改善激光器的热效应,用滤波装置稳定基频光频率,压窄基频光线宽,提高腔内倍频效率。抽运光经准直聚焦后作用在半导体薄片增益介质(4)上,半导体薄片增益介质上键合了一块高热导率且对抽运光和激光都透明的散热窗口(5)。增益介质中的光生载流子在量子阱(14)中发生受激辐射,由后端镜(8)、输出耦合镜(7)、及半导体薄片增益介质底部的布拉格反射镜(16)构成激光腔产生基频激光,由非线性晶体(10)产生倍频激光(11),其特征在于:激光腔内设置有滤波装置(9),有效稳定基频光的频率,数倍地压窄基频光线宽,从而提高倍频效率。 |
申请公布号 |
CN203503971U |
申请公布日期 |
2014.03.26 |
申请号 |
CN201320230506.2 |
申请日期 |
2013.05.01 |
申请人 |
北京工业大学 |
发明人 |
宋晏蓉;张鹏;张晓;于振华;田金荣 |
分类号 |
H01S5/024(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/024(2006.01)I |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 |
代理人 |
刘萍 |
主权项 |
高功率腔内倍频半导体薄片激光器,包括抽运光源(1)、准直透镜(2)、聚焦透镜(3)、半导体薄片增益介质(4)、散热窗口(5)、热沉(6)、输出耦合镜(7)、后端反射镜(8)或者半导体可饱和吸收镜、及非线性晶体(10);抽运光经准直聚焦后作用在半导体薄片增益介质(4)上,半导体薄片增益介质之上键合了一块散热窗口;散热窗口之下是增益介质(4),增益介质(4)依次包括防氧化保护层(12)、载流子限制层(13)、10‑20对半导体量子阱层(14)与量子阱势垒层(15)构成的周期谐振结构、周期谐振结构之下是布拉格反射镜(16)和基质(17);整块半导体薄片增益介质被焊接在热沉(6)上。激光谐振腔包括布拉格反射镜、后端反射镜或者半导体可饱和吸收镜之一、及输出耦合镜;其特征在于:激光谐振腔中设置有滤波装置(9)。 |
地址 |
100124 北京市朝阳区平乐园100号 |