| 摘要 |
지지 웨이퍼(1)에 복수의 칩(9)을 본딩하는 방법에 있어서, 지지 웨이퍼(1)는 지지 웨이퍼(1) 상에 적어도 하나의 층으로 적층되는 칩(3')을 포함하고, 수직으로 이웃하는 칩들을 더 연결하기 위한 전도성 연결(7)이 존재하고, 상기 방법은 a) 지지 웨이퍼(1)를 캐리어(5)에 고정하는 단계와, b) 칩(3)의 적어도 하나의 층을 상기 지지 웨이퍼(1) 상의 지정된 위치로 배치하는 단계와, c) 캐리어(5)에 고정되어 있는 지지 웨이퍼(1) 상의 칩(3)을 열처리하는 단계를 포함하고, 단계 c) 이전에 지지 웨이퍼에서 지지 웨이퍼(1)의 분리된 칩 스텍 섹션(1c)으로의 적어도 부분적인 분리가 발생하는 것을 특징으로 하는 지지 웨이퍼에 복수의 칩을 본딩하는 방법. |
