High electron mobility transistor in serial connection and method for forming thereof
摘要
<p>등가 회로에 의해 전압의 누적 효과를 달성하는 것이 가능하고, 높은 항복전압의 특성을 갖는 고전자 이동도 트랜지스터 디바이스를 제공한다. 본 발명은 제조 프로세스에서 고전자 이동도 트랜지스터를 정의하고, 내부 접속의 방법으로 상기 고전자 이동도 트랜지스터를 직렬 접속시킨 직렬 접속식 고전자 이동도 트랜지스터 디바이스 및 그 제조 방법을 특징으로 한다.</p>
