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<p>본 발명은 일반적으로는 반도체 막 및 반도체 막을 증착시키는데 사용되는 반응성 스퍼터링 방법을 포함한다. 스퍼터링 타겟은 알루미늄(약 1원자% 내지 약 20원자%) 또는 그 밖의 도핑 금속으로 도핑될 수 있는 순수한 아연(약 99.995원자% 또는 그 초과)을 포함할 수 있다. 아연 타겟은 질소와 산소를 챔버 내로 도입함으로써 반응적으로 스퍼터링될 수 있다. 질소의 양은 산소와 아르곤 가스의 양 보다 현저하게 많을 수 있다. 산소의 양은 질소 함유 가스를 사용하지 않은 증착으로부터 얻은 측정치를 기초로 한, 막 전도성, DC 전압 변화, 막 투과율, 또는 막 구조물의 터닝 포인트(turning point)를 기초로 할 수 있다. 반응성 스퍼터링은 대략 실온에서 최대 수백 ℃에 이르는 온도에서 발생할 수 있다. 증착 후에, 반도체 막은 어닐링되어 막의 이동성을 추가로 개선시킬 수 있다.</p> |
