| 摘要 |
<p>이미지 센서의 단위 화소 및 수광 소자가 제공된다. 빛을 흡수하는 수광 소자는, 플로팅된 구조로 형성되어 빛을 흡수하는 수광부, 상기 수광부의 일면에 접하도록 형성되는 산화막, 상기 산화막의 타면의 일측에 접하도록 형성되고, 상기 산화막을 사이에 두고 상기 수광부와 이격되어 형성되는 소스, 상기 산화막의 타면의 타측에 접하도록 상기 소스와 대향되게 형성되고, 상기 산화막을 사이에 두고 상기 수광부와 이격되어 형성되는 드레인 및 상기 소스와 드레인의 사이에 형성되어, 상기 소스와 드레인 간에 전류의 흐름을 형성하는 채널을 포함하되, 상기 수광부는 제1형 불순물로 도핑되고 상기 소스 및 상기 드레인은 제2형 불순물로 도핑되며, 상기 수광부는 상기 산화막에 의해 상기 소스 및 상기 드레인으로부터 절연되며, 수광된 빛에 의해 생성된 전자-정공쌍(EHP)의 전자는 상기 산화막에서의 집중된 전계에 의한 터널링 현상으로 상기 소스 및 드레인으로 방출되고, 상기 전자의 방출에 의한 상기 수광부의 전하량의 변화에 의해 상기 채널의 전류 흐름이 제어된다.</p> |
