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发明名称
FINFET BODY CONTACT AND METHOD OF MAKING SAME
摘要
<p>반도체 디바이스는 ESD 보호를 위해 finFET 디바이스 상에 바디 컨택을 포함할 수 있다. 반도체 디바이스는 반도체 핀, 소스/드레인 영역 및 바디 컨택을 포함한다. 소스/드레인 영역 및 바디 컨택은 반도체 핀에 있다. 핀의 일부는 측방으로 소스/드레인 영역과 바디 컨택 사이에 있다. 반도체 핀은 기판 상에 있다.</p>
申请公布号
KR101372052(B1)
申请公布日期
2014.03.25
申请号
KR20120051524
申请日期
2012.05.15
申请人
发明人
分类号
H01L21/336;H01L29/78
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
主权项
地址
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