可堆叠式功率MOSFET、功率MOSFET堆叠及其制备方法,申请号TW100113852-传众专利搜索

发明名称	可堆叠式功率MOSFET、功率MOSFET堆叠及其制备方法
摘要
申请公布号	TWI431759	申请公布日期	2014.03.21
申请号	TW100113852	申请日期	2011.04.21
申请人	万国半导体股份有限公司美国	发明人	冯涛
分类号	H01L27/04;H01L21/8249;H01L23/52	主分类号	H01L27/04
代理机构		代理人	李国光新北市中和区中正路928号5楼;张仲谦新北市中和区中正路928号5楼
主权项
地址	美国