半导体装置及制造其之方法,申请号TW099103877-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	半导体装置及制造其之方法
摘要
申请公布号	TWI431770	申请公布日期	2014.03.21
申请号	TW099103877	申请日期	2010.02.09
申请人	三垦电气股份有限公司日本	发明人	金子信男
分类号	H01L29/778;H01L21/306	主分类号	H01L29/778
代理机构		代理人	桂齐恒台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项
地址	日本

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