发明名称 氮化物半导体及氮化物半导体之结晶成长方法
摘要
申请公布号 TWI431669 申请公布日期 2014.03.21
申请号 TW097144819 申请日期 2008.11.20
申请人 三菱化学股份有限公司 日本 发明人 堀江秀善;栗原香
分类号 H01L21/205;C23C16/34 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号11楼;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号11楼
主权项
地址 日本