| 摘要 |
<p>경면 연마를 행한 후, 에피택셜층을 형성하기 전에, 오존 가스를 이용하여 실리콘 웨이퍼의 표면을 산화시키는 오존 가스 처리, 불화 수소 증기를 이용하여 실리콘 웨이퍼의 산화된 표면을 용해시켜 제거하는 불화 수소 증기 처리 및, 실리콘 웨이퍼의 표면에 잔존하는 이물을 제거하는 세정을 행함으로써, 경면 연마로 발생한 PID(Polishing Induced Defect)가 강제 산화됨과 함께 용해되어 제거되고, 그 후에 에피택셜 처리를 행함으로써, 에피택셜 웨이퍼의 표면에서 PID에 기인한 볼록 결함(bump defect)의 발생을 방지할 수 있다.</p> |
