| 摘要 |
Halbleiterbauelement mit–einem Substrat, das einen kristallinen Halbleiterkörper (HLK) umfasst,–in dem Halbleiterkörper ausgebildeten CMOS-Transistoren,–zwischen den CMOS-Transistoren ausgebildeten Isolationsgebieten (IG),–einem weiteren Isolationsgebiet (IG'), das eine größere Fläche als die anderen Isolationsgebiete (IG) aufweist,–einem auf dem weiteren Isolationsgebiet (IG') angeordneten Dünnfilmtransistor,–einem Gate (GB) der CMOS-Transistoren über einer Schicht eines Gatedielektrikums (GDB),–einem Gate (GD) des Dünnfilmtransistors über dem weiteren Isolationsgebiet (IG'),–einer ersten Polysiliziumschicht (PS1), die für eine Poly-1-Ebene vorgesehen ist, und–einer zweiten Polysiliziumschicht (PS2), die für eine Poly-2-Ebene vorgesehen ist, wobei–sowohl das Gate (GB) der CMOS-Transistoren als auch das Gate (GD) des Dünnfilmtransistors in der ersten Polysiliziumschicht (PS1) ausgebildet sind und daher die gleiche Schichtdicke und Kristallstruktur aufweisen und–der Dünnfilmtransistor Source (S), Body (B) und Drain (D) aufweist, die sämtlich in der zweiten Polysiliziumschicht (PS2) ausgebildet sind, in der gleichzeitig Strukturelemente einer Poly-2-Ebene der CMOS-Transistoren vorgesehen sind. |
