| 摘要 |
Eine Halbleitergehäusevorrichtung ist offenbart, die ein darin integriertes passives Energiebauteil enthält. In einer Ausführungsform enthält die Halbleitergehäusevorrichtung ein Halbleitersubstrat mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche. Das Halbleitersubstrat enthält eine oder mehrere integrierte Schaltungen, die proximal zu der ersten Oberfläche ausgebildet sind. Die Halbleitergehäusevorrichtung enthält auch ein passives Energiebauteil, das über der zweiten Oberfläche positioniert ist. Das passive Energiebauteil ist mit einer oder mehreren integrierten Schaltungen verbunden. Die Halbleitergehäusevorrichtung enthält auch eine Verkapselungsstruktur, die über der zweiten Oberfläche angeordnet ist und zumindest im Wesentlichen das passive Energiebauteil einkapselt. |
