| 摘要 |
<p>CVD법에 의한 성막에 이용되며, 트레이 본체(2)와, 이 트레이 본체(2)에 가설(架設)되어 실리콘 웨이퍼(5)를 지지하는 지지 부재(3)로 이루어지는 트레이로서, 지지 부재(3)에는 실리콘 웨이퍼(5)를 직접 올려놓는 재치부(3c)가 형성되고, 또한 재치부(3c)는, 올려놓여지는 실리콘 웨이퍼(5)와 거리를 두고 서로 대향하는 트레이 본체의 면(2a)으로부터 이간된 재치부 하면(3d)을 가짐으로써, 실리콘 웨이퍼 상에 형성되는 산화막의 두께 분포를 균일하게 할 수 있다. 본 발명의 트레이는, 지지 부재(3)와 트레이 본체(2)의 접촉 면적을 저감하는 구조를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 재치부(3c)를 경사면으로 형성하고, 그의 내원주측이 실리콘 웨이퍼와 서로 대향하는 트레이 본체의 면(2a)에 가까워지도록 배치하는 것이 바람직하다.</p> |
