| 摘要 |
1. Способ изготовления магнитного туннельного перехода, подходящего для ячейки магнитной оперативной памяти (MRAM) и содержащего первый ферромагнитный слой, туннельный барьерный слой и второй ферромагнитный слой, при этом способ содержит:образование первого ферромагнитного слоя;образование туннельного барьерного слоя; иобразование второго ферромагнитного слоя;причем упомянутое образование туннельного барьерного слоя содержит осаждение слоя металлического Mg; и окисление осажденного слоя металлического Mg для того, чтобы преобразовать металлический Mg в MgO; при этом этап образования туннельного барьерного слоя выполняют более, чем дважды, таким образом туннельный барьерный слой содержит более чем два слоя MgO для уменьшения вероятности содержания в барьерном слое маленьких отверстий, которые выровнены по всем слоям MgO.2. Способ по п.1, в которомосаждение слоя металлического Mg дополнительно содержит использование инертного газа для выравнивания осажденного слоя металлического Mg.3. Способ по п.1, в которомтолщина осажденного слоя металлического Mg составляет от 0 нм до 1,5 нм и, предпочтительно, от 0,3 нм до 1,2 нм.4. Способ по п.1,дополнительно содержащий осаждение слоя CoFe после упомянутого образования первого ферромагнитного слоя и до упомянутого образования второго ферромагнитного слоя.5. Способ по п.1,дополнительно содержащий осаждение дополнительного слоя металлического Mg до и после образования туннельного барьерного слоя.6. Ячейка MRAM (магнитной оперативной памяти), содержащая магнитный туннельный переход,содержащий первый ферромагнитный слой, туннельный барьерный слой и второй ферромагнитный слой, причем магн |
