Semiconductor device and method for fabricating the same
摘要
<p>반도체 소자 및 그 제조 방법이 제공된다. 반도체 소자는 반도체 기판, 반도체 기판 상에 형성된 게이트 절연막, 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 전극, 게이트 전극 측벽에 형성된 제 1 스페이서, 제 1 스페이서에 정렬되어 반도체 기판 내에 형성된 소오스/드레인 영역, 게이트 전극 및 소오스/드레인 영역 상면에 형성된 실리사이드막 및 제 1 스페이서 및 실리사이드막 끝단부를 덮는 제 2 스페이서를 포함한다.</p>
