| 摘要 |
Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben, umfassend:–eine Halbleiterschichtenfolge (2), die eine zur Emission von Strahlung geeignete aktive Zone (4) aufweist,–ein Trägersubstrat (10), und–eine Spiegelschicht (6), die zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und dem Trägersubstrat (10) angeordnet ist, wobei–die Halbleiterschichtenfolge (2) in mehrere nebeneinander angeordnete aktive Bereiche (11, 12) unterteilt ist, die jeweils durch einen Graben (13) in der Halbleiterschichtenfolge (2) voneinander getrennt sind, wobei der Graben (13) jeweils die Halbleiterschichtenfolge (2) und die Spiegelschicht (6) durchtrennt,–die Spiegelschicht (6) Seitenflächen (16), die einem Graben (13) zugewandt sind, und Seitenflächen (17), die einer Außenseite (15) des Halbleiterchips (1) zugewandt sind, aufweist,–die einer Außenseite (15) des Halbleiterchips (1) zugewandten Seitenflächen (17) der Spiegelschicht (17) eine metallische Verkapselungsschicht (7) aufweisen, und–zumindest ein Teil der einem Graben (13) zugewandten Seitenflächen (16) der Spiegelschicht (6) eine dielektrische Verkapselungsschicht (9) aufweist. |
